AI需求引爆記憶體搶貨！美銀喊9月DRAM、NAND再漲10%至20%　DRAM產值估暴增逾80%

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[FTNN新聞網]實習記者盛琳／綜合報導

AI伺服器狂吃記憶體產能，DRAM、NAND缺貨情況恐持續升溫。美國銀行（BofA）全球研究最新報告指出，受AI基礎設施需求強勁、三星電子與SK海力士等大廠優先供貨給大型客戶，加上消費電子傳統旺季到來，9月通用型DRAM與NAND現貨市場供給滿足率估已低於50%，預期9月現貨價格還有10%至20%上漲空間；美銀也將2027年全球DRAM銷售額成長預估大幅上修至逾80%。

記憶體現貨價格今年已漲得相當驚人。根據DRAMeXchange數據，16Gb DDR5現貨價來到54美元，今年以來上漲85%；16Gb DDR4更達91美元，較去年同期暴漲879%。NAND同樣一路走高，1Tb晶圓現貨價升至31.9美元、年增526%，256Gb晶圓則來到16.8美元，年增幅高達979%。美銀指出，模組廠與白牌OEM目前普遍反映拿不到足量晶片，即使高價已明顯壓縮終端IT產品利潤，短缺情況仍未緩解。

AI正是這波搶貨潮的最大推手。除了輝達持續擴大GPU平台需求，ASIC、TPU等客製化AI晶片也加入爭奪HBM、DRAM與NAND產能，部分客戶甚至願意提高價格確保供貨。另一方面，三星、SK海力士新增產能持續向HBM等高階產品傾斜，三星目前約60%至70%晶圓產能已納入長期供貨協議（LTA），並預估明年高階GPU及CPU所需DRAM的供給滿足率仍僅約50%至60%。

台廠方面，南亞科（2408）指出DDR4需求依舊強勁，新廠預計2027年第1季開始裝機，初期規劃月產能3萬片晶圓，並在2028年逐步達到完整產能。SK海力士則因HBM持續占用大量晶圓產能，目前沒有大幅增加傳統DRAM、NAND產線的計畫；在AI運算需求持續吸收新增供給下，記憶體市場短期供給吃緊情況仍難快速改善。

◎《FTNN新聞網》提醒您：本資料僅供參考，投資人應獨立判斷，審慎評估並自負投資風險。

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