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美股早盤記憶體多頭續揚!台積電ADR上漲
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[NOWNEWS今日新聞] 美股周二(8日)早盤主要指數漲跌互見,科技股走揚,尤其以晶片股表現最為優異,台積電ADR漲幅2%開出,記憶體全面重返多頭行情。
美股主要指數8日早盤,截止至台灣時間晚間10點,道瓊工業指數下跌512點,跌幅0.96%;那斯達克指數小跌120點,跌幅0.45%;標普500指數小跌35點;費城半導體指數漲147點,漲幅1.25%。
個股部分,台積電ADR開漲2%,股價來到約440美元的近期一個多月最高、輝達小跌1%,博通與英特爾漲幅分別超過2%和5%;記憶體族群重返多頭行情,美光小漲2%、SanDisk漲2%、SK海力士ADR大漲5%。
台積電今日與艾司摩爾科技股份有限公司(ASML)在加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前宣布發起產業合作,共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光(EUV)微影光罩,以將高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術的價值發揮到極致。該合作目標於2031年之前建立12吋光罩試產線(pilot line),並於2033年之前實現微影系統全面就緒,以支援先進製程量產。
※【NOWNEWS 今日新聞】提醒投資人,投資一定有風險,投資有賺有賠,申購前應詳閱公開說明書,學習正確的投資觀念才能將損失的風險降至最低。
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個股部分,台積電ADR開漲2%,股價來到約440美元的近期一個多月最高、輝達小跌1%,博通與英特爾漲幅分別超過2%和5%;記憶體族群重返多頭行情,美光小漲2%、SanDisk漲2%、SK海力士ADR大漲5%。
台積電今日與艾司摩爾科技股份有限公司(ASML)在加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前宣布發起產業合作,共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光(EUV)微影光罩,以將高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術的價值發揮到極致。該合作目標於2031年之前建立12吋光罩試產線(pilot line),並於2033年之前實現微影系統全面就緒,以支援先進製程量產。
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