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普渡大學訪團拜會經濟部 擬與格棋攜手打造台美第三代半導體與AI創新生態系
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為深化台美科技、人才及產業合作，美國普渡大學（Purdue University）代表團今（17日）拜會教育部及經濟部，並與格棋化合物半導體公司就第三代半導體、人工智慧（AI）、高功率元件、人才培育及產業合作等議題進行深入交流，共同探討建立台美科技創新生態系及產業合作平台。
目前台美已建立重要產業合作基礎，除亞利桑那州及德州可能成為半導體重鎮外，經濟部認為，可評估將印第安納州普渡Research Park作為台企赴美發展重要合作據點。
普渡大學長期為美國工程與科技教育重鎮，目前已有超過1,000位台灣學生自普渡大學畢業。普渡大學表示，希望進一步深化與台灣政府、學術界及產業界合作，共同推動科技創新、人才培育及產業發展。普渡校友遍布全球科技產業，包括人類首位登月太空人尼爾．阿姆斯壯（Neil Armstrong）等傑出人士，展現其深厚的科技與創新實力。
教育部政次劉國偉接見訪團時表示，面對全球AI及半導體產業快速發展，高階科技人才已成為國家競爭力的重要基礎。教育部樂見普渡大學與台灣企業及學術界深化合作，透過學生交流、聯合研究、產學合作及國際實習等方式，培育具備全球視野與實務能力的新世代人才，進一步強化台美教育及科技合作。
經濟部政次何晉滄表示，全球半導體供應鏈正進入新一波國際布局階段，第三代半導體、高壓功率元件及AI應用將是未來重要發展方向。經濟部樂見普渡大學與格棋化合物半導體展開合作，並建議結合工研院及相關產業平台資源，建立從材料、元件到系統應用完整科技生態鏈，加速技術商品化與產業落地。
何晉滄進一步指出，目前台美已建立重要產業合作基礎，除亞利桑那州及德州外，亦可評估將印第安納州普渡Research Park作為台灣企業赴美發展重要合作據點。未來若能進一步提供土地、水電、廠房及投資環境等資訊，將有助於台灣企業評估赴美布局，深化台美雙向投資與科技合作。
教育部與經濟部於會中均表示，面對全球AI、半導體及先進製造產業快速發展，台灣必須持續強化國際鏈結與產業競爭力。政府樂見普渡大學與格棋化合物半導體推動台美科技合作，並將持續透過人才培育、產學合作、研發資源整合及產業政策支持等方式，協助企業提升技術能量、拓展國際市場，共同推動台灣產業升級與創新發展。
兩部會也表示，未來將持續扮演平台與橋梁角色，協助國內企業鏈結國際研究機構與產業資源，促進台美雙方在人才、技術、資本及市場等面向的深度合作，進一步提升台灣在全球科技產業供應鏈中的戰略地位。
普渡研究基金會（Purdue Research Foundation, PRF）執行長Chad Pittman表示，普渡Research Park已發展超過75年，擁有完整基礎設施、充足水電資源及成熟單一窗口服務機制，目前已吸引包括SK hynix、聯發科、Rolls-Royce及多家國際企業進駐。未來希望成為台灣企業進軍美國市場重要合作平台，協助企業快速完成投資與設廠規劃。
普渡大學副校長Luna Lu表示，未來除技術合作外，也將積極推動人才交流、學生培育及企業合作計畫，協助台灣學生及企業人才接軌美國科技產業發展機會，並進一步促進雙方創新創業合作。
格棋化合物半導體總經理賴柏帆表示，格棋已與普渡大學完成合作備忘錄（MOU）簽署，並正式啟動第三代半導體合作交流。未來雙方將聚焦碳化矽（SiC）、高壓功率元件、AI熱管理及下一代電力電子技術等領域，結合普渡大學在MOSFET、IGBT及高壓元件研發上的深厚基礎，以及格棋在碳化矽材料、晶圓及熱管理技術上能力，共同推動下一世代關鍵技術創新。
賴柏帆表示，普渡大學目前於6,000V至10,000V高壓功率元件研究已取得重要成果，未來高壓元件發展的關鍵之一在於穩定且高品質的材料供應鏈。格棋希望透過與普渡大學合作，成為高階碳化矽材料及晶圓重要合作夥伴，共同推動高功率元件技術突破。
格棋化合物半導體董事長熊觀明表示，當前正是全球AI、第三代半導體及能源轉型發展的重要時刻，台灣擁有世界級半導體製造能力，美國則具備頂尖科研與創新資源。此次與普渡大學的合作，不僅是企業與大學之間的合作，更是台美科技、人才與產業合作的重要起點。
熊觀明說，未來希望結合台灣政府、普渡大學、相關研究機構及產業夥伴，共同建立跨國創新生態系，推動第三代半導體、AI、高功率元件及熱管理等關鍵技術發展。同時透過普渡Research Park平台，協助更多台企接軌美國市場，以美國技術服務、市場開拓與研發合作帶動台灣量產製造，形成台美互補、共創雙贏的新合作模式。
知情人士表示，未來第三代半導體的重要材料就是碳化矽，其具有散熱、省電、節電及儲電等功能，是台灣半導體下一代的重要材料，發展頗具潛力。
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為深化台美科技、人才及產業合作，美國普渡大學（Purdue University）代表團今（17日）拜會教育部及經濟部，並與格棋化合物半導體公司就第三代半導體、人工智慧（AI）、高功率元件、人才培育及產業合作等議題進行深入交流，共同探討建立台美科技創新生態系及產業合作平台。
目前台美已建立重要產業合作基礎，除亞利桑那州及德州可能成為半導體重鎮外，經濟部認為，可評估將印第安納州普渡Research Park作為台企赴美發展重要合作據點。
普渡大學長期為美國工程與科技教育重鎮，目前已有超過1,000位台灣學生自普渡大學畢業。普渡大學表示，希望進一步深化與台灣政府、學術界及產業界合作，共同推動科技創新、人才培育及產業發展。普渡校友遍布全球科技產業，包括人類首位登月太空人尼爾．阿姆斯壯（Neil Armstrong）等傑出人士，展現其深厚的科技與創新實力。
教育部政次劉國偉接見訪團時表示，面對全球AI及半導體產業快速發展，高階科技人才已成為國家競爭力的重要基礎。教育部樂見普渡大學與台灣企業及學術界深化合作，透過學生交流、聯合研究、產學合作及國際實習等方式，培育具備全球視野與實務能力的新世代人才，進一步強化台美教育及科技合作。
經濟部政次何晉滄表示，全球半導體供應鏈正進入新一波國際布局階段，第三代半導體、高壓功率元件及AI應用將是未來重要發展方向。經濟部樂見普渡大學與格棋化合物半導體展開合作，並建議結合工研院及相關產業平台資源，建立從材料、元件到系統應用完整科技生態鏈，加速技術商品化與產業落地。
何晉滄進一步指出，目前台美已建立重要產業合作基礎，除亞利桑那州及德州外，亦可評估將印第安納州普渡Research Park作為台灣企業赴美發展重要合作據點。未來若能進一步提供土地、水電、廠房及投資環境等資訊，將有助於台灣企業評估赴美布局，深化台美雙向投資與科技合作。
教育部與經濟部於會中均表示，面對全球AI、半導體及先進製造產業快速發展，台灣必須持續強化國際鏈結與產業競爭力。政府樂見普渡大學與格棋化合物半導體推動台美科技合作，並將持續透過人才培育、產學合作、研發資源整合及產業政策支持等方式，協助企業提升技術能量、拓展國際市場，共同推動台灣產業升級與創新發展。
兩部會也表示，未來將持續扮演平台與橋梁角色，協助國內企業鏈結國際研究機構與產業資源，促進台美雙方在人才、技術、資本及市場等面向的深度合作，進一步提升台灣在全球科技產業供應鏈中的戰略地位。
普渡研究基金會（Purdue Research Foundation, PRF）執行長Chad Pittman表示，普渡Research Park已發展超過75年，擁有完整基礎設施、充足水電資源及成熟單一窗口服務機制，目前已吸引包括SK hynix、聯發科、Rolls-Royce及多家國際企業進駐。未來希望成為台灣企業進軍美國市場重要合作平台，協助企業快速完成投資與設廠規劃。
普渡大學副校長Luna Lu表示，未來除技術合作外，也將積極推動人才交流、學生培育及企業合作計畫，協助台灣學生及企業人才接軌美國科技產業發展機會，並進一步促進雙方創新創業合作。
格棋化合物半導體總經理賴柏帆表示，格棋已與普渡大學完成合作備忘錄（MOU）簽署，並正式啟動第三代半導體合作交流。未來雙方將聚焦碳化矽（SiC）、高壓功率元件、AI熱管理及下一代電力電子技術等領域，結合普渡大學在MOSFET、IGBT及高壓元件研發上的深厚基礎，以及格棋在碳化矽材料、晶圓及熱管理技術上能力，共同推動下一世代關鍵技術創新。
賴柏帆表示，普渡大學目前於6,000V至10,000V高壓功率元件研究已取得重要成果，未來高壓元件發展的關鍵之一在於穩定且高品質的材料供應鏈。格棋希望透過與普渡大學合作，成為高階碳化矽材料及晶圓重要合作夥伴，共同推動高功率元件技術突破。
格棋化合物半導體董事長熊觀明表示，當前正是全球AI、第三代半導體及能源轉型發展的重要時刻，台灣擁有世界級半導體製造能力，美國則具備頂尖科研與創新資源。此次與普渡大學的合作，不僅是企業與大學之間的合作，更是台美科技、人才與產業合作的重要起點。
熊觀明說，未來希望結合台灣政府、普渡大學、相關研究機構及產業夥伴，共同建立跨國創新生態系，推動第三代半導體、AI、高功率元件及熱管理等關鍵技術發展。同時透過普渡Research Park平台，協助更多台企接軌美國市場，以美國技術服務、市場開拓與研發合作帶動台灣量產製造，形成台美互補、共創雙贏的新合作模式。
知情人士表示，未來第三代半導體的重要材料就是碳化矽，其具有散熱、省電、節電及儲電等功能，是台灣半導體下一代的重要材料，發展頗具潛力。
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