三星重回1.4奈米戰場！量產時程延至2029「比台積電落後1年」　曝光機恐成後追關鍵

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1.4奈米製程成為晶圓代工下一個主戰場，最大巨頭台積電的A14預計將於2028年開始量產；英特爾也加速推進其14A製程，傳出包括馬斯克的巨型晶圓廠TeraFab、蘋果（Apple）等重要客戶排隊已預訂採用。而最新報導指出，三星已重新啟動代號「SF1.4」的製程，但將量產時程延後至2029年，準備重新迎戰1.4奈米。

根據韓媒《TheBell》報導指出，三星正在重啟自家1.4奈米製程「SF1.4」的商業化進度，雖然最初計畫在2027年實現量產，但三星為了先確保2奈米製程「SF2」的競爭力，因此將時程進行調整，延後到2029年量產；三星將落後台積電約1年時間。

報導表示，三星的主要設備合作夥伴包括 Applied Materials（應用材料） 與 Lam Research（科林研發），2家公司皆為三星的重要半導體設備供應商，三星也要求其加快研發速度。

科技媒體《Wccftech》也表示，台積電與英特爾，目前都是積極投入1.4奈米製程研發的領導廠商，雖然2家公司的技術路線在本質上有所不同，但皆將其命名為1.4奈米製程。

台積電的A14預計將於2028年開始投入生產，競爭對手英特爾也因市場需求強勁，加速推進14A研發，已有包括TeraFab與蘋果等重要客戶排隊等待採用。

報導指出，而三星最初會決定暫停1.4奈米開發，是為了集中資源發展「SF2」、「SF2P」等2奈米製程，這些製程擁有更高的良率，且生產後段流程已更加成熟、最佳化。相較之下，1.4奈米需要興建全新的生產線，並導入大量新一代設備，因此重啟該專案耗費了一段時間。

報導提到，曝光機龍頭ASML已向三星最先進的半導體研發中心「NRD-K」交付High-NA EUV設備，三星預計很可能在1.4奈米製程，率先採用這些曝光機進行製造。

另外，韓媒認為由於台積電尚未採用High-NA EUV設備，因此三星在這方面可能具備一定優勢，不過《Wccftech》提到，台積電也正積極開發A16製程，將先於A14問世。同時三星也預計同步開發下一代V12 NAND快閃記憶體，目標於2030年投產。

報導分析，整體而言，三星的1.4奈米製程，將成為它在晶圓代工的重要戰略資產，不過由於時程延後至2029年，屆時英特爾、台積電這2家競爭對手，都已經比三星還早1年推出各自的1.4奈米製程技術。

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