台積電注意了！英特爾EMIB最新進展曝光：良率逼近9成、成本比CoWoS便宜一半

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外媒最新報導指出，英特爾EMIB-T目前封裝良率已接近90%，成本更比台積電CoWoS低了約5成。圖為英特爾執行長陳立武於COMPUTEX 2026發表演講。（資料照，陳品佑攝）

英特爾（Intel）除了18A、14A等先進製程，其先進封裝技術EMIB更吸引市場關注，除了傳出在良率與成本上，已能與台積電CoWoS分庭抗禮，更成功吸引到輝達（NVIDIA）、Google等重量級客戶。而外媒最新報導指出，EMIB-T目前封裝良率已接近90%，成本更比CoWoS低了約5成，且英特爾也祭出優渥的加班獎金，推動俄亥俄州新廠如期投產。

《Wccftech》報導指出，英特爾正在俄亥俄州興建一座大型晶圓廠園區，專門生產18A、14A等「埃米時代」的先進製程，為了加快這座關鍵廠區的建設進度，據傳英特爾已開始提供優厚的加班獎金，希望能在2031年，實現14A製程的大規模量產。

報導提到，另一方面，台積電也正在開發一種「類EMIB」的先進封裝方案，以補足CoWoS-L的不足方面；報導並引述爆料客ImNotHarsh的說法，指出值得注意的是，EMIB-T的成本約比台積電CoWoS技術低50%，因為EMIB-T無需使用成本高昂的大面積矽中介層。

報導指出，英特爾預計最快於2027年，開始大規模提供EMIB-T先進封裝，目前封裝良率已接近90%；不過目前也仍存在一項障礙，那就是基板良率仍停留在約50%，成為量產最大瓶頸。

報導說明，EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）技術是透過嵌入有機基板中的微型矽橋（silicon bridge），將多個晶片（chiplet）整合於同一封裝內；高密度微凸塊（micro-bumps）僅配置於晶粒與矽橋接合處，使各晶片能高速互連。

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