財經
真金貴！「它」1公斤價值620克黃金 3年翻12倍
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DRAM價格狂飆，現在身價居然幾乎可與黃金相比！根據韓國貿易統計推進院的資料，本月1日至20日，韓國DRAM出口均價達到每公斤9.2萬美元（約291萬台幣），價值相當於620克的黃金，更是同重量鉑的1.53倍、白銀的41.7倍。
DRAM價格漲幅遠勝黃金！漲越兇、反倒越缺貨
同期韓國DRAM出口額衝上98.07億美元（約3102億台幣），年增率高達504.8%。投研機構Sitri Research分析韓國DRAM出口資料，指出相較於2023年1月低點，現行均價漲了12.5倍，遠勝過同一期間黃金價格的2.4倍漲幅。
話雖如此，DRAM不可如同黃金單以重量衡量價值，因為產品世代、容量、運輸速度與製程的差異，同樣會影響價格。例如2023年初市場追蹤的主流現貨產品為DDR4 8Gb，如今TrendForce採用的基準已轉為DDR5 16Gb，製程微縮及單位面積容量提升，也會推高每公斤換算價格。但半導體業界人士對此坦言：「即便計入產品世代升級的因素，近期記憶體價格的攀升幅度依然陡峭。」
韓國銀行數據也印證漲勢有多猛烈，7月DRAM出口價格年增270.3%；美光（Micron）財報則顯示，2026財年第三季DRAM平均銷售單價較前季大增約6成。全球投行與記憶體大廠直言：「高價非但未能緩解短缺，明年供給缺口恐怕比今年更嚴峻。」
HBM排擠DRAM產能！供給缺口恐延續至後年
DRAM越漲越兇、越漲越缺貨，背後原因是AI熱潮所導致的HBM排擠效應。科技巨頭砸鉅資蓋AI資料中心，作為AI加速器必要零件的HBM需求跟著一飛衝天。由於其需要垂直堆疊多顆DRAM晶片來提高傳輸效率，相同數量HBM生產所消耗的晶圓投片量，也大於商用DRAM。結果當記憶體廠把有限資源轉向HBM，一般PC、手機與伺服器使用的DRAM，他們的產能自然受到擠壓。
TrendForce估計，明年底三星、SK海力士、美光投入HBM的DRAM晶圓產能占比將升至30%，但最終形成的記憶體位元供給僅約13%。這代表HBM看似只占一部分產品，實際上卻會吃掉相當可觀的DRAM製造資源。高盛也預估明年全球HBM市場規模還會再成長108%，短期內這股產能排擠效應恐怕難以消退。
記憶體大廠雖然持續擴充產能，卻很難立刻填補眼前的缺口。從新廠動工、設備進駐，到製程爬坡、良率穩定，再到真正轉化成可出貨的產品，本身就需要一段時間；同時HBM與伺服器DRAM需求又持續增加，形成「產能正在增加、需求卻跑得更快」的局面。高盛因此預估，全球DRAM供給缺口率將從今年的5.0%擴大至明年的5.9%，2027年預估值也較前次大幅上修3.4個百分點，供應吃緊甚至可能延續至2028年。
各大記憶體廠對此看法相同。美光今年6月表示，AI需求與結構性供給限制造成的DRAM、NAND Flash供需緊張，可能持續至2027年以後；SK海力士總裁Kwak Noh-jung上月更警告，2027年恐怕會成為記憶體產業史上供給最嚴峻的一年。市場甚至已開始思考如何降低HBM帶來的產能壓力，輝達（Nvidia）及部分雲端服務業者正評估調整下一代AI加速器的HBM配置。不過，這場記憶體荒最終能否降溫，還得看新產能何時到位，以及高漲的價格是否會開始壓抑終端需求；在AI基礎建設投資熱潮尚未退燒的情況下，DRAM這場「黃金級」行情可能還會持續一段時間。
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內容僅供參考，投資人於決策時應審慎評估風險，並就投資結果自行負責。投資一定有風險，基金投資有賺有賠，申購前應詳閱公開說明書。
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同期韓國DRAM出口額衝上98.07億美元（約3102億台幣），年增率高達504.8%。投研機構Sitri Research分析韓國DRAM出口資料，指出相較於2023年1月低點，現行均價漲了12.5倍，遠勝過同一期間黃金價格的2.4倍漲幅。
話雖如此，DRAM不可如同黃金單以重量衡量價值，因為產品世代、容量、運輸速度與製程的差異，同樣會影響價格。例如2023年初市場追蹤的主流現貨產品為DDR4 8Gb，如今TrendForce採用的基準已轉為DDR5 16Gb，製程微縮及單位面積容量提升，也會推高每公斤換算價格。但半導體業界人士對此坦言：「即便計入產品世代升級的因素，近期記憶體價格的攀升幅度依然陡峭。」
韓國銀行數據也印證漲勢有多猛烈，7月DRAM出口價格年增270.3%；美光（Micron）財報則顯示，2026財年第三季DRAM平均銷售單價較前季大增約6成。全球投行與記憶體大廠直言：「高價非但未能緩解短缺，明年供給缺口恐怕比今年更嚴峻。」
HBM排擠DRAM產能！供給缺口恐延續至後年
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TrendForce估計，明年底三星、SK海力士、美光投入HBM的DRAM晶圓產能占比將升至30%，但最終形成的記憶體位元供給僅約13%。這代表HBM看似只占一部分產品，實際上卻會吃掉相當可觀的DRAM製造資源。高盛也預估明年全球HBM市場規模還會再成長108%，短期內這股產能排擠效應恐怕難以消退。
記憶體大廠雖然持續擴充產能，卻很難立刻填補眼前的缺口。從新廠動工、設備進駐，到製程爬坡、良率穩定，再到真正轉化成可出貨的產品，本身就需要一段時間；同時HBM與伺服器DRAM需求又持續增加，形成「產能正在增加、需求卻跑得更快」的局面。高盛因此預估，全球DRAM供給缺口率將從今年的5.0%擴大至明年的5.9%，2027年預估值也較前次大幅上修3.4個百分點，供應吃緊甚至可能延續至2028年。
各大記憶體廠對此看法相同。美光今年6月表示，AI需求與結構性供給限制造成的DRAM、NAND Flash供需緊張，可能持續至2027年以後；SK海力士總裁Kwak Noh-jung上月更警告，2027年恐怕會成為記憶體產業史上供給最嚴峻的一年。市場甚至已開始思考如何降低HBM帶來的產能壓力，輝達（Nvidia）及部分雲端服務業者正評估調整下一代AI加速器的HBM配置。不過，這場記憶體荒最終能否降溫，還得看新產能何時到位，以及高漲的價格是否會開始壓抑終端需求；在AI基礎建設投資熱潮尚未退燒的情況下，DRAM這場「黃金級」行情可能還會持續一段時間。
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