記憶體版圖大洗牌 三星DDR5擴大外包 HBM4裸晶傳攜手台積電

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人工智慧（AI）運算需求激增，引發全球記憶體大廠產能與策略全面重組，業界傳出，南韓三星電子為全力衝刺高頻寬記憶體（HBM），計劃將通用型DDR5與固態硬碟（SSD）的新增產能全面外包封測夥伴；次世代HBM4基礎裸晶（Base Die）也傳出打破全數自製的統包模式，規劃自製與台積電代工雙軌並行。加上SK海力士傳出擬向英特爾租廠或合資赴美生產、美光與創見接連推出新品，記憶體供應鏈競合快速升溫。

市場消息指出，受AI高階封裝產能排擠，三星南韓天安與溫陽廠後段產線空間吃緊，正加速改建為先進封裝產線，並要求封測外包（OSAT）夥伴提前擴產以消化通用DDR5訂單；針對次世代客製化HBM4，三星考量國際大客戶需求，研議內部代工與台積電雙軌並行，打破以往封閉供應體系。

競爭對手同樣動作頻頻。外媒《路透社》報導，SK海力士正與英特爾洽商，評估租用英特爾俄亥俄州新廠部分產能，或與雲端服務大廠共組營運合資企業，首度布局在美製造。美光則在16日發表全球首款512GB DDR5 RDIMM次世代伺服器模組，預計2027年下半年量產；台廠創見也在14日發表單條64GB DDR5-6400工業用模組，強打邊緣AI商機。

法人分析，AI讓記憶體規格門檻大幅拉高，單打獨鬥已難以滿足市場需求。三星外包通用模組並評估委託台積電代工基礎裸晶，加上海力士跨界接洽英特爾，凸顯記憶體產業正從垂直整合走向生態系分工，台灣晶圓代工與後段封測鏈在全球AI浪潮中的樞紐角色也更加穩固。

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