傳陸量產DUV 恐遭ASML告侵權

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傳出大陸國企開始量產國產浸潤式DUV光刻機，全球半導體設備股昨日全面下殺，ASML股價甚至重挫5.8％。國內半導體產業分析師讚許這是最高等級DUV，「蠻驚豔的」。但強調還有長路要走，並認為對台積電影響甚微，因為大陸DUV很難不踩到台積電與ASML的專利，接下來要小心ASML可能提告「侵權」，以及下一步美國聯手荷日。

不過，知名半導體分析師陸行之則認為，短期內雖難以撼動ASML地位，但長線的「國產替代」效應仍是隱憂。

資策會產業情報研究所長洪春暉分析，大陸本就可進口DUV，成熟製程產能早已過剩，真研發出國產DUV，對這塊產量幫助還好。但好處就是設備自主，更不用擔心美國制裁。他認同，DUV成功，確實代表大陸半導體設備國產化有推進，需要關注。

一位半導體資深產業顧問直言，波長193nm（奈米）的浸潤式DUV，屬於這個光刻機的最高等級世代，「蠻驚豔的」。但這消息應該還是科技自主「大內宣」居多，對台積電與其供應鏈沒甚麼影響。這位顧問並強調，當初ASML研發出193nm浸潤式DUV，是客戶端台積電前副總裁林本堅提出的「浸潤式微影技術」貢獻。所以，台積電與ASML在DUV這塊的專利布局布很滿，大陸幾乎不可能繞開，踩到紅線機會很大，要注意ASML接下來可能採取動作，對大陸國企提出「侵權」控訴。

DUV成功，是否代表大陸開發EUV機台有望？專家一致看法是「兩回事」。洪春暉直言，大陸想發展EUV，「還有很長一段路要走」。否則華為日前就不必發表「韜定律」，想以「時間微縮」技術繞過EUV限制。

資深半導體產業顧問強調，大陸發展出DUV，頂多只是看到美歐「車尾燈」，當然如果真研發出EUV，可生產5、2奈米以上先進製程，衝擊完全不同。可是EUV光刻機與DUV是兩套不同東西，其波長非常短，曝光機制也不一樣，其難度遠遠超過DUV，雖然大陸想走與西方不同技術「激光誘導放電等離子體（LDP）」來做，可難度高成本也高，沒那麼容易。

再來荷蘭研發的EUV，零組件是跨歐洲合作，有英國、德國、奧地利等在內，也不是大陸自己可以辦到。

洪春暉提醒，大陸DUV自主研發出來，那下一步要關注的是美國態度；半導體資深產業顧問則直指大陸太高調，會刺激美國有動作，可能聯合荷蘭、日本，祭出相關設備禁令卡中國生產DUV，畢竟裡面還是要關鍵零件無法完全自產。

半導體分析陸行之認為大陸自研DUV初期產能20台，與ASML規模仍有差距，尤其關注量產時程是否因良率不穩延遲，所以短期衝擊小。長期則會侵蝕ASML目前壟斷全球近99％的浸潤式DUV市場。

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